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工信部:推动我国芯片制造领域良率、产量的提升

分类: 综合来源:新京报作者:新京报发布时间:2019-10-09关键字:芯片  芯片制造
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  2019年10月8日,工信部在其官网上公开了《关于政协十三届全国委员会第二次会议第2282号(公交邮电类256号)提案答复的函》,其中指出,下一步,工信部将继续支持我国工业半导体领域成熟技术发展,推动我国芯片制造领域良率、产量的提升。积极部署新材料及新一代产品技术的研发,推动我国工业半导体材料、芯片、器件、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)模块产业的发展。

  工信部在函中指出,为解决工业半导体材料、芯片、器件、IGBT模块等核心部件的关键性技术问题,工信部等相关部门积极支持工业半导体材料、芯片、器件、IGBT模块领域关键技术攻关。2017年,工信部部推出“工业强基IGBT器件一条龙应用计划”,针对新能源汽车、智能电网、轨道交通三大领域,重点支持IGBT设计、芯片制造、模块生产及IDM、上游材料、生产设备制造等环节,促进IGBT及相关产业的发展。

  工信部还指导湖南省建立功率半导体制造业创新中心建设,整合产业链上下游资源,协同攻关工业半导体材料、芯片、器件、IGBT模块领域关键共性技术。工信部指导中国宽禁带半导体及应用产业联盟发布《中国IGBT技术与产业发展路线图(2018-2030)》,引导我国IGBT行业技术升级,推动相关产业发展。

  工信部表示,近年来,我国集成电路产业发展取得了长足进步,但是核心技术受制于人的局面仍然没有根本改变,急需加强核心技术攻关,保障供应链安全和产业安全。在当前复杂的国际形势下,工业半导体材料、芯片、器件及IGBT模块的发展滞后将制约我国新旧动能转化及产业转型,进而影响国家经济发展。